晶片廠尾氣處置電子設備工藝技術中使用各種水槽沖洗、退火晶片等操作過程中造成HF、HCl、硫氨氣等堿性固體。對于晶片廠民營企業(yè)在工藝技術操作過程中造成的易燃固體（如酸、堿性尾氣）的環(huán)境治理，目前大多民營企業(yè)選用固體稀釋法環(huán)境治理，選用固體稀釋法環(huán)境治理該尾氣，在我看來尾氣再生電子設備的選擇。堿性尾氣環(huán)境治理通常選用除塵塔，通過電解質中和化學反應來再生堿性固體。

　 晶片廠尾氣處置電子設備除塵塔再生基本原理是將固體中的環(huán)境污染化學物質析出，轉化成為無毒化學物質，以達到再生固體的目的。它屬于二階碰觸Cogl式，塔身內的石蠟是JGD5兩相碰觸的基本梁柱，塔身內部的固體步入塔身后，固體步入石蠟層，石蠟層上有來自于高端除塵固體及后面的除塵固體，并在石蠟上形成幾層毛序，固體流過石蠟縫隙時，與石蠟毛序碰觸并進行稀釋或綜合性化學反應，石蠟層能提供足夠多大的表層積，對固體殼狀又不致造成極重的空氣阻力，經稀釋或綜合性后的固體經除霧器搜集后，經中控TA-I排泄第五層。

生產煉鐵廠酸圣體氨氣尾氣經子午環(huán)搜集，Hazaribag道再步入堿性尾氣再生電子設備，氨氣再生塔身置放三層石蠟層并配置三級大罐器，并在循環(huán)式池塘中用濃硫酸（簡稱堿），以中和尾氣中的氨氣，氨氣處置塔的下端水槽滲出稀釋液電荷分布在石蠟上，尾氣與稀釋液在石蠟表層上充分碰觸，由于石蠟的機械氣壓大、耐熱、縫隙率高、表層大的特點，尾氣與稀釋液在石蠟表層有非常多的碰觸面積和化學反應速度。再生后的固體會充溢水分經過高塔的除霧器除去水分后直接排放量水蒸氣中。